5月18日，中國工程院外籍院士、美國弗吉尼亞理工大學(xué)著名教授李澤元蒞臨英飛特院士工作站指導(dǎo)工作。此次座談會(huì)，李澤元院士為英飛特研發(fā)骨干團(tuán)隊(duì)作了關(guān)于《第三代半導(dǎo)體器件應(yīng)用與技術(shù)》的專題培訓(xùn)，對(duì)半導(dǎo)體應(yīng)用的重大技術(shù)問題提出了許多寶貴建議。
▲華董隆重介紹李澤元院士
李教授在兩個(gè)多小時(shí)演講分享中，著重介紹了第三代半導(dǎo)體器件（SiC, GaN）的高頻化集成磁充電器的設(shè)計(jì)技術(shù)，并從效率、功率密度和自動(dòng)化生產(chǎn)方面，進(jìn)行了深入的講解。
▲李教授現(xiàn)場(chǎng)作技術(shù)講解
▲李教授參觀英飛特新能源汽車儲(chǔ)能式充電站
英飛特院士工作站自2016年建立以來，積極開展各項(xiàng)技術(shù)攻堅(jiān)工作，充分發(fā)揮院士工作站的技術(shù)引領(lǐng)作用，注重高層次研發(fā)人才培養(yǎng)，努力促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
